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使其具有较高的导通电阻和漏电流。在SiC中，肖特基二极管可以达到更高的击穿电压。
特点＞无反向恢复充电＞纯电容开关＞工作温度高（Tj，-大值=175°C）
优点>低关断损耗>降低CoolMOS™ 或IGBT导通损耗＞与负载电流、开关速度和温度无关的开关损耗
优点>与硅二极管相比系统效率提高>降低冷却要求>实现更高频率/更高功率密度>由于工作温度较低，系统可靠性更高
应用>服务器>电信>太阳能>UPS>电动汽车充电>储能>PC电源>电机驱动
SiC肖特基二极管与Si pin二极管的反向恢复电荷绝大多数载流子特性表明没有反向恢复电荷，对开关损耗的--贡献来自电容性的微小位移电荷。在相同的电压范围内，硅器件具有双极性元件，导致更高的开关损耗。该图显示了各种600伏设备之间的比较。
提高系统效率（PFC在CCM模式下工作，满负载，低线）SiC二极管的快速开关特性在系统级提供了明显的效率改进。碳化硅与高端硅的性能差距。
英飞凌SiC有650v与1200v二极管,选型表格如下：
英飞凌是--上--家碳化硅分立电源供应商。长期的市场存在和经验使英飞凌能够提供高度可靠、行业--的碳化硅性能。英飞凌-新的CoolSiC，拥有十多年开发和制造SiC二极管的开创性经验™ 肖特基二极管第6代系列在质量、效率和可靠性方面树立了**。